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績優役男 |
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張凱評 |
第83梯次 |
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| 役別及組別： | 研發替代役/ 非民間產業 | ||
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| 單位及產業類別： | 大學校院 | ||
| 用人單位： | 國立中興大學 | ||
研發成果： |
論文發表數 12篇 |
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對科技及產業貢獻說明： |
研究主要貢獻有二，第一以覆晶型與多功能鈍化結構修補micro-LED缺陷，設計了具有全向反射器的金屬接觸，以減少發射光吸收，並鈍化MESA側壁，提高光輸出功率與畫素，可應用於高解析之擴充實境/虛擬實境裝置上。
第二為利用第三代半導體之碳化矽、氮化鎵材料，開發高電子遷移率電晶體，並探討元件於SiC基板上之Fe摻雜影響，最佳化AlGaN與GaN介面之二維電子氣通道，最終實現2457 V之高擊穿電壓，適合應用於功率型積體電路元件上。 |
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得獎感言：
很高興能獲得績優研發替代役之殊榮，感謝內政部役政署提供優質的研發替代役訓練與工作環境， 使得服役期間仍可以學以致用。
感謝國立中興大學材料科學與工程學系武東星教授實驗室，給予此機會參與研究工作，提供充足的半導體製程與量測設備，才能順利完成相關研究計畫，在擔任博士後研究員與助理研究員期間，武東星教授也給予了許多產學合作及業界技術交流的機會，使得學術理論與業界實務結合，讓研究成果更有應用的價值。
同時，也感謝實驗室團隊，包含柏瑋、博文、榮隆、慕義、兆君、鑫佑博士，提供許多材料科學與光電理論之建議，感謝子淳協助實驗室許多行政事務與計畫申請，以及黃博、淳信、柏豪、重叡、張循、及碩士班的學弟妹等，給予實驗研究及公共事務上的幫助，讓研究於疫情下，仍得以順利安全進行。
