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績優役男 |
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廖煜銘 |
第107梯次 |
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| 役別及組別： | 研發替代役/ 民間產業 | ||
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| 單位及產業類別： | 民間產業 / 光電 | ||
| 用人單位： | 晶元光電股份有限公司 | ||
研發成果： |
論文發表數 2篇 |
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對科技及產業貢獻說明： |
氮化鎵為近幾年又再度火紅的材料，研究其成長方式一直是成長氮化物團隊的重點。成長氮化鎵的困難點在於它會跟他的常用基板—Si(111), Sapphire晶格不匹配度過高，再來是他們的熱膨脹係數不同，導致成長的氮化鎵材料常有產生缺陷的問題。本研究除了提供想法使氮化物透過二維材料緩衝層成長在其常用基板上以解決缺陷問題，及提供氮化鎵低溫成長的方式以降低MOCVD高溫生長時所需的生長成本，希望可以帶給各個研究團隊一個創新的想法。 | ||
得獎感言：
首先要感謝我的實驗室教授—高慧玲老師，是老師帶領我進入氮化物的世界，也讓我在碩班兩年盡情的發揮。也很謝謝我的家人及女友在我背後給予我支持，使我可以心無旁騖地進行研究。還有要感謝我所任職的公司—晶元光電，讓我能在碩士畢業後，繼續在氮化物的世界裡成長，繼續為氮化物的成長貢獻一己之力。我自認為並不是個很聰明的人，但我希望自己是個努力的人，因為這些努力而獲得了這個獎項，也是對自己這些年來付出的一種肯定。未來的路雖然不一定是一帆風順，但是我希望自己能莫忘初衷，繼續為氮化物，為公司，為國家燃燒小小的自己，也謝謝研發替代役這個時代性的制度，讓我能在畢業後就可以繼續進行我喜歡的研究，雖然未來將取消這個制度了，但這項劃時代的創舉將在中華民國的歷史上留下濃濃的一筆。
